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BSS84AKW-VB一种Single-P沟道SC70-3封装MOS管
2025-01-10
**产品简介：**
BSS84AKW-VB 是一款 P-Channel MOSFET，封装为 SC70-3，专为中等电压应用设计。该 MOSFET 的 VDS（漏极-源极最大电压）为 -60V，最大栅源极电压 VGS 为 ±20V，漏极电流 ID 达到 -0.135A。其导通电阻 RDS(ON) 为 5000mΩ（在 VGS=4.5V 时）和 4000mΩ（在 VGS=10V 时），采用沟槽型工艺技术，适合于低功耗、小型开关电路和负载开关应用。
**详细参数说明：**
- **封装**: SC70-3
- **类型**: 单极性 P-Channel MOSFET
- **漏源极电压（VDS）**: -60V
- **栅源极电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: -1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**: 5000mΩ @ VGS = 4.5V；4000mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）**: -0.135A
- **技术**: 沟槽型工艺
**应用领域和模块示例：**
1. **负载开关**：在低功耗负载开关应用中，BSS84AKW-VB 能够有效地处理负载电流，并通过其小型封装适合于紧凑型电子设备。
2. **电源管理**：适用于电源管理系统中的负极开关，能够控制负载电流并有效地管理电源流。
3. **信号开关**：在需要负电压切换的信号开关应用中，该 MOSFET 可作为信号开关，提供可靠的负电流开关功能，适合用于小型电子设计。
