B200NF03-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-06
### 产品简介
**型号**: B200NF03-VB
**封装**: TO263
**配置**: 单极性N沟道MOSFET
**耐压**: 30V
**门源电压**: ±20V
**阈值电压**: 1.7V
**导通电阻**:
- 3.2mΩ @ V_GS = 4.5V
- 2.3mΩ @ V_GS = 10V
**最大漏电流**: 150A
**技术**: 沟槽型
### 详细参数说明
- **型号**: B200NF03-VB
- **封装类型**: TO263
- **配置**: 单N沟道MOSFET
- **漏极-源极耐压 (V_DS)**: 30V
- **栅极-源极最大电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 1.7V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 3.2mΩ @ V_GS = 4.5V
- 2.3mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流 (I_D)**: 150A
- **技术类型**: 沟槽型技术
### 应用领域与模块示例
1. **高效电源转换器**
B200NF03-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高效电源转换器中，能够提升转换效率并减少功耗损失，适用于各种电源管理应用。
2. **电动汽车功率控制**
该MOSFET 可用于电动汽车的功率控制系统，通过提供稳定的高电流支持，确保电动车动力系统的高效和可靠性。
3. **大功率LED驱动**
在大功率LED驱动电路中，B200NF03-VB 能够处理高电流负载并有效降低能量损耗，确保LED的高效能和延长使用寿命。
4. **电机驱动系统**
适用于电机驱动模块，B200NF03-VB 的高电流处理能力和低导通电阻使其能在电机控制应用中提供可靠的开关性能和优化电机运行效率。
