AON7784-VB一种Single-N沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2024-12-06
### 产品简介
AON7784-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术。它具有极低的导通电阻和高额定电流能力，适合于要求高功率密度和效率的电力电子应用。封装在紧凑的 DFN8（3x3）封装中，AON7784-VB 提供了优异的热性能和电气特性。
### 详细参数说明
- **型号**：AON7784-VB
- **封装**：DFN8 (3x3)
- **配置**：单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**：30V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 3.9mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**：60A
- **技术**：沟槽工艺
### 应用领域和模块
AON7784-VB 的出色特性使其在多个领域和模块中广泛应用：
1. **电机驱动**：由于其极低的导通电阻和高达 60A 的电流能力，AON7784-VB 是理想的电机驱动器件。它能够在电动工具、电动车辆和工业机器人等需要高功率和高效率的应用中发挥重要作用，确保设备的高性能和长期可靠性。
2. **电源管理**：在直流-直流转换器、开关稳压器和功率模块中，AON7784-VB 能够提供优异的功率密度和效率。其能够有效管理和调节电源，降低能耗和热量，适用于需要稳定电源供应的各种设备和系统。
3. **电动工具**：作为电动工具中的关键组件，AON7784-VB 的高电流处理能力和低导通电阻有助于提升工具的功率输出和操作效率。它能够确保工具在高负载和高频率下的稳定性和可靠性。
4. **汽车电子**：在电动汽车和混合动力汽车中，AON7784-VB 可以用于电池管理系统、电动机控制和其他功率转换应用。其优异的导通特性和封装设计使其适合于汽车电子中的高温、高压和高功率要求。
AON7784-VB 作为一款高性能、低导通电阻的 N 沟道 MOSFET，适用于要求高功率密度、高效率和长期可靠性的电力电子应用。
