AP4506GEH-VB一种Common Drain-N+P沟道TO252-4L封装MOS管
2024-12-16
### AP4506GEH-VB 产品简介
AP4506GEH-VB 是一款双通道共源 N+P-Channel MOSFET，采用 TO252-4L 封装，适合于高压应用环境。该器件结合了 N-Channel 和 P-Channel MOSFET 的优点，具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于要求高效能和可靠性的电路设计。
### 详细参数说明
- **型号：** AP4506GEH-VB
- **封装：** TO252-4L
- **配置：** 双通道共源 N+P-Channel
- **漏极-源极电压（VDS）：** ±60V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 1.8V（N-Channel） / -1.7V（P-Channel）
- **导通电阻（RDS(ON))：**
- @VGS = 4.5V：
- N-Channel：33mΩ
- P-Channel：60mΩ
- @VGS = 10V：
- N-Channel：30mΩ
- P-Channel：50mΩ
- **漏极电流（ID）：**
- N-Channel：35A
- P-Channel：-19A
- **技术：** Trench
### 应用示例
AP4506GEH-VB 在以下领域和模块中具有广泛的应用：
1. **电源管理和转换器：** 适用于高压开关电源、DC-DC 变换器和稳压器，能够提供高效的功率转换和电流控制，确保电路稳定运行和能效优化。
2. **电池保护和充电管理：** 在工业设备、电池管理系统和便携式设备中，可用于电池保护、充电管理和电源开关控制，支持快速充电和延长设备使用时间。
3. **电动车辆和电动工具：** 在电动车辆的电池管理、驱动系统和电源开关中，提供高效能力和可靠性，支持电动汽车和电动工具的性能优化和长时间使用。
4. **工业控制和自动化：** 适用于工业自动化控制系统、机器人控制和电机驱动，能够提供稳定的电力管理和高效的驱动控制。
5. **LED 照明和显示系统：** 在高亮度 LED 照明、背光系统和显示屏驱动中，提供低功耗和高效能力，支持长期稳定的亮度输出和能效优化。
通过其双通道共源设计和优异的电气特性，AP4506GEH-VB 可以为各种要求高电压和高电流处理的应用提供可靠的解决方案，提升系统的性能和稳定性。
