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### BSC123N08NS3 G-VB MOSFET 产品简介

BSC123N08NS3 G-VB 是一款高性能单N通道MOSFET，封装在DFN8(5x6)外壳中。该MOSFET 专为需要高电流和高效率的应用而设计，提供卓越的性能和可靠性。其最大漏极-源极电压（VDS）为80V，栅极-源极电压（VGS）容差为±20V，适应各种电源管理和开关应用。BSC123N08NS3 G-VB 的阈值电压（Vth）为3V，确保在较低栅极电压下可靠启动。其导通电阻（RDS(ON)）在VGS = 4.5V时为7mΩ，在VGS = 10V时为5mΩ，提供了高效的功率传输和低功耗。该MOSFET 的连续漏极电流（ID）可达到60A，适合处理较大的电流负荷。BSC123N08NS3 G-VB 采用先进的沟槽技术，优化了其开关性能和能效。

### BSC123N08NS3 G-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型:** DFN8(5x6)

- **配置:** 单N通道

- **最大漏极-源极电压 (VDS):** 80V

- **最大栅极-源极电压 (VGS):** ±20V

- **阈值电压 (Vth):** 3V

- **导通电阻 (RDS(ON)):**

  - VGS = 4.5V 时为 7mΩ

  - VGS = 10V 时为 5mΩ

- **连续漏极电流 (ID):** 60A

- **技术:** 沟槽技术

BSC123N08NS3 G-VB.pdf

### BSC123N08NS3 G-VB MOSFET 的应用领域

BSC123N08NS3 G-VB MOSFET 的高电流处理能力和低导通电阻使其在多个领域中表现优异。例如，在电源管理系统中，这款MOSFET 可以用于高效能的电源开关和电源调节模块，处理大电流负荷同时保持高效能。在电动汽车领域，它适合用于电机控制系统和电池管理模块中，以确保稳定和高效的电流供应。在工业应用中，BSC123N08NS3 G-VB 可用于高功率电机驱动器和电源转换设备，提供可靠的开关功能并降低能量损耗。此外，该MOSFET 也适用于高效能LED驱动器和其他高功率电子设备，提升整体性能和能效。