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AP2RA04GMT-HF-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2024-12-12
### 产品简介
AP2RA04GMT-HF-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用DFN8(5x6)封装。它具有优异的电性能特征，适合于需要高电流承载能力和低导通电阻的功率管理和开关控制应用。
### 详细参数说明
- **封装形式**：DFN8(5x6)
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：40V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：2mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**：120A
- **技术**：Trench
### 应用领域和模块举例
1. **电动车和电动工具**：
AP2RA04GMT-HF-VB适用于电动车辆和电动工具中的功率开关控制。其高漏源电压和低导通电阻能够处理高电流负载，例如电动汽车的电池管理系统中的电源开关和电流控制，以及工业级电动工具的电机驱动控制。
2. **电源模块和DC-DC转换器**：
在电源模块和DC-DC转换器中，该型号的MOSFET能够有效地管理电能转换和功率输出。它可以用于服务器和数据中心中的电源转换器，以及通信设备中的高效能量管理模块，提高设备的能效和稳定性。
3. **工业自动化和电源管理系统**：
由于其高电流承载能力和优异的导通特性，AP2RA04GMT-HF-VB适合用于工业自动化控制系统和电源管理系统中的功率开关和电流控制。它能够在各种工业环境下稳定运行，并提供高效的电能管理解决方案。
通过以上例子可以看出，AP2RA04GMT-HF-VB适用于多种需要高电流处理和高效能量管理的应用场合，为电路设计提供了稳定性、可靠性和高效率的解决方案。
