AOD4C60-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2024-12-05
### 一、AOD4C60-VB 产品简介
AOD4C60-VB是一款高压单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，封装于TO252封装中。它具有较高的漏极-源极电压承受能力和稳定的性能，适用于需要高电压和中等电流的功率开关和控制应用。AOD4C60-VB在高压条件下能够提供可靠的电气特性，是工业和电源管理系统中的理想选择。
### 二、AOD4C60-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 700mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 7A
- **技术类型**: SJ_Multi-EPI
### 三、AOD4C60-VB 适用领域和模块
1. **工业电源系统**:
- AOD4C60-VB适用于工业电源系统中的开关电源和逆变器。其高漏极-源极电压和稳定的导通特性确保了系统在高压和高频操作时的可靠性和效率。
2. **电动车充电器**:
- 在电动车充电器中，AOD4C60-VB可以用作开关管或功率开关器件，支持高电压和中等电流的电源转换和控制，以实现高效快速的充电过程。
3. **UPS（不间断电源系统）**:
- 在UPS系统中，AOD4C60-VB可用于逆变器和电池管理模块，提供稳定的电源转换和备用电源管理，确保在电网电源中断时系统能够平稳切换和持续供电。
4. **工业自动化**:
- 在工业自动化设备中，AOD4C60-VB可以用于驱动大功率电机、电磁阀和其他工业控制装置。其高压承受能力和低导通电阻使其成为工业设备高效能驱动的理想选择。
AOD4C60-VB以其高压承受能力和稳定的性能特性，在工业和电源管理领域有着广泛的应用前景，为各种高电压应用提供可靠的功率解决方案。
