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BS030P H-VB一种Dual-P+P沟道SOP8封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BS030P H-VB** 是一款高性能双极性 MOSFET，封装形式为 SOP8。该器件采用 Trench 技术，具有优异的开关性能和低导通电阻。其主要应用于高效率开关电源和电机驱动电路中，能够在较高电压和电流条件下稳定工作。
### 详细参数说明
- **封装**: SOP8
- **配置**: 双 P+P-Channel
- **漏源电压 (V_DS)**: -30V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±12V
- **阈值电压 (V_th)**: -1.7V
- **导通电阻 (R_DS(on))**:
- 28mΩ @ V_GS = 4.5V
- 21mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流 (I_D)**: -8A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
1. **开关电源**: 由于其低导通电阻和高耐压能力，BS030P H-VB 可在开关电源中作为主开关使用，提高整体系统效率。
2. **电机驱动**: 适用于电机控制模块中，可以有效驱动电机，提供稳定的电流和保护电路。
3. **功率管理**: 用于电源管理电路中，能够提供高效的电源转换和稳定的输出。
4. **电池供电设备**: 适合在需要高效电池供电的设备中使用，如便携式电子产品。
