BSO315C-VB一种SOP8封装Dual-N+P-Channel场效应管
2025-01-09
### 一、产品简介
BSO315C-VB 是一款高性能双N+P沟道MOSFET，采用SOP8封装，设计用于中低电压应用。该MOSFET 使用Trench技术，具有低导通电阻和较高的电流处理能力，适用于各种高效能电子系统，包括电源管理、负载开关以及其他需要高效开关的应用。
### 二、详细的参数说明
| 参数 | 数值 |
|-----------------|----------------------|
| **封装类型** | SOP8 |
| **配置** | 双N+P沟道 |
| **漏极-源极电压 (VDS)** | ±30V |
| **栅极-源极电压 (VGS)** | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | 1.6V (N沟道) / -1.7V (P沟道) |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 24mΩ / 50mΩ @ VGS=4.5V |
| | 18mΩ / 40mΩ @ VGS=10V |
| **连续漏极电流 (ID)** | ±8A |
| **技术** | Trench |
### 三、应用领域和模块举例
1. **电源管理**
BSO315C-VB 在电源管理系统中表现优异，双N+P沟道配置和低导通电阻使其非常适合用于电源开关和电流调节应用。其高效能和可靠性确保了电源管理系统的稳定性和效率。
2. **负载开关**
在负载开关应用中，BSO315C-VB 的双N+P沟道设计提供了高效的开关能力，能够在较低电压下处理负载。适用于各种便携式电子设备和电池供电设备中的负载开关功能。
3. **电动汽车**
对于电动汽车的电池管理和驱动系统，BSO315C-VB 提供了双N+P沟道配置和低导通电阻，有助于提高系统的效率和可靠性，在电池管理和负载控制中发挥重要作用。
4. **工业电机控制**
在工业电机控制系统中，BSO315C-VB 的高电流承载能力和低导通电阻，使其能够处理电机的高电流负荷，确保电机驱动系统的高效稳定运行。
BSO315C-VB 以其双N+P沟道设计、低导通电阻和高效能，适用于各种需要高效开关和可靠功率管理的中低电压应用领域。
