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BSC340N08NS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
**1. 产品简介：**
BSC340N08NS3 G-VB 是一款高耐压 N-Channel MOSFET，封装为 DFN8(5x6)。它采用 Trench 技术，具备高电压承受能力和较低的导通电阻，适用于高电压和高电流的应用场景。
**2. 详细参数说明：**
- **封装**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单极性 N-Channel
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 17mΩ（在 VGS=10V 时）
- **漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术**: Trench
**3. 应用领域举例：**
BSC340N08NS3 G-VB 适用于高电压电源管理系统，如 DC-DC 转换器、电源保护电路、电机驱动和高电压开关模块。其高耐压和低导通电阻特性使其在高电压场景中具有出色的开关性能，适合用于需要处理较高电压和电流的电子设计。
