BUK456-800A-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2025-01-14
### 一、BUK456-800A-VB 产品简介
BUK456-800A-VB 是一款高电压单N沟道MOSFET，采用TO220封装。该MOSFET 使用Plannar技术设计，能够承受高达850V的漏源极电压，适合于高电压应用环境。尽管其导通电阻较高，但其优异的高电压耐受能力使其在需要处理高电压的开关和功率管理应用中表现出色。BUK456-800A-VB 的设计旨在提供高电压稳定性和可靠的开关性能。
### 二、BUK456-800A-VB 详细参数说明
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 封装 | TO220 |
| 配置 | 单N沟道 |
| VDS（漏源极电压） | 850V |
| VGS（栅源极电压） | 30（±V） |
| Vth（阈值电压） | 3.5V |
| RDS(ON) @ VGS=10V | 2700mΩ |
| ID（漏极电流） | 4A |
| 技术 | Plannar |
### 三、应用领域和模块示例
1. **高电压开关**：
BUK456-800A-VB 在高电压开关应用中具有重要作用，特别适用于需要处理850V高电压的电源开关和电源转换器。其高电压耐受能力使其能够在高电压环境中提供稳定的开关性能，确保系统的可靠性。
2. **功率变换器**：
在功率变换器和逆变器中，该MOSFET 可以用作高电压开关和负载控制元件。其高电压处理能力使其适合在电力电子系统中进行DC-AC转换，为系统提供稳定的功率输出。
3. **电力供应系统**：
BUK456-800A-VB 适用于电力供应系统中的高电压开关和保护电路。其高电压耐受能力和稳定性确保在电力系统中处理高电压负载，从而增强系统的安全性和可靠性。
4. **工业应用**：
在工业设备中，例如高电压电机驱动和功率控制系统，BUK456-800A-VB 能够处理高电压负载。其设计用于承受高电压，使其成为严苛工业环境中的可靠组件。
5. **高功率放大器**：
在高功率放大器和射频功率放大器中，该MOSFET 可以作为高电压开关，处理高电压和功率需求。尽管其导通电阻较高，但其高电压处理能力使其适合在高功率应用中使用。
尽管BUK456-800A-VB 的导通电阻较高，其卓越的高电压耐受性和可靠的开关性能使其在各种高电压和功率应用中具有重要作用，为这些领域的功率管理和开关操作提供了可靠的解决方案。
