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APM3106NU-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2024-12-26
### APM3106NU-VB 产品简介
APM3106NU-VB 是一款单 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的槽沟技术，具备极低的导通电阻和高电流处理能力，适合需要高效能和低损耗的电路设计。其紧凑的 TO252 封装使其非常适合高密度电路板应用。
### 详细参数说明
- **型号**: APM3106NU-VB
- **封装**: TO252
- **通道类型**: 单 N 沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: 槽沟技术 (Trench)
### 应用示例
APM3106NU-VB 适用于多种领域和模块，以下是一些具体应用示例：
- **电源管理模块**: 适用于服务器、工作站和高性能计算设备中的电源管理模块，提供高效能的电能转换和低导通损耗，确保设备在高负载下的稳定运行。
- **电动工具**: 用于电动工具和电动交通工具的电源驱动电路，能够提供高电流支持和低热损耗，提高设备的运行效率和续航能力。
- **电池保护电路**: 在锂电池保护电路中，用于控制充放电过程，确保电池的安全性和使用寿命，同时提高充放电效率。
- **消费电子产品**: 在高端消费电子产品如智能电视、音响系统中，用于功率放大和开关电源电路，提升产品的性能和能效。
这些示例展示了 APM3106NU-VB 在不同应用场景中的优势，能够满足现代电子设备对高效能、低损耗和高可靠性的需求。
