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BSC520N15NS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BSC520N15NS3 G-VB** 是一款单极性N沟道功率MOSFET，封装为DFN8(5x6)。此MOSFET具有150V的漏源电压（VDS）和最大±20V的栅极源电压（VGS）。其阈值电压（Vth）为3V，导通电阻为15.8mΩ（VGS=10V），最大漏电流为53.7A。MOSFET采用沟槽技术，适合用于高电压和中等电流的电源和负载开关应用。
### 详细参数说明
- **型号**: BSC520N15NS3 G-VB
- **封装**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单极性N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 150V
- **栅极源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 15.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 53.7A
- **技术**: 沟槽技术
### 适用领域和模块
**BSC520N15NS3 G-VB** 功率MOSFET 适用于以下领域和模块：
1. **高电压电源管理**：在高电压开关电源中用作开关元件，适合处理高电压负载，提供高效的电源转换。
2. **功率逆变器**：在光伏系统或UPS（不间断电源）系统中作为开关元件，实现高电压直流到交流的转换，确保系统的稳定性和高效性。
3. **电动汽车和工业电机驱动**：用于高电压电机驱动系统，能够处理较高电压的负载，适合电动汽车和工业自动化中的电机应用。
4. **电池管理系统**：在电池保护和管理系统中，用于高电压应用，确保系统的稳定性和安全性，特别适合高电压负载的应用场景。
