BSZ160N10NS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2025-01-10
### 一、BSZ160N10NS3 G-VB产品简介
BSZ160N10NS3 G-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术，封装为DFN8(3x3)。该器件具有极低的导通电阻和高漏极电流能力，适用于需要高效率和高开关速度的应用。最大漏源电压为100V，栅源电压为±20V，导通电阻为10mΩ（在VGS=10V时）。其最大连续漏极电流为50A，使其非常适合用于高功率应用，如电源管理和电机驱动。
### 二、BSZ160N10NS3 G-VB详细参数说明
| 参数 | 值 |
|--------------------|-------------------------------------------|
| 封装类型 | DFN8(3x3) |
| 配置 | 单N沟道 |
| 最大漏源电压 (VDS) | 100V |
| 最大栅源电压 (VGS) | ±20V |
| 阈值电压 (Vth) | 2.5V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 10mΩ @ VGS=10V |
| 最大漏极电流 (ID) | 50A |
| 技术 | 沟槽技术 |
### 三、应用领域和模块举例
1. **高功率直流-直流转换器（High-Power DC-DC Converter）**：BSZ160N10NS3 G-VB由于其高电流能力和低导通电阻，特别适合用于高功率的直流-直流转换器。其在服务器电源、工业电源和大功率电池供电设备中能够提供高效的电力转换，减少能量损耗。
2. **电源管理模块（Power Management Module）**：在复杂的电源管理系统中，这款MOSFET的高电流处理能力和低导通电阻使其成为理想选择。它可以应用于高效的电压稳压器、电源开关和负载开关中，提高电源管理的效率和可靠性，适用于电动汽车和高性能计算设备等领域。
3. **电机驱动（Motor Drive）**：BSZ160N10NS3 G-VB的高电流处理能力使其非常适合用于电机驱动应用，如电动工具、电动自行车和工业电机驱动系统。其低导通电阻和高开关速度有助于提高电机驱动的整体效率和响应速度。
4. **功率开关（Power Switch）**：该MOSFET在功率开关应用中表现出色，能够处理较高的电压和电流，适用于电力开关、继电器替代和高功率负载开关的场合，如家用电器、工业设备和电力控制系统。
