BUK652R1-30C-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2025-01-15
### 产品简介
BUK652R1-30C-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220 封装。该器件基于先进的沟槽技术，具有极低的导通电阻和超高的电流处理能力，非常适合在高功率和高效率的开关应用中使用。由于其卓越的性能，BUK652R1-30C-VB 是要求高电流处理和低功耗的电路的理想选择。
### 详细参数说明
- **型号**: BUK652R1-30C-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2.8mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 140A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **高效电源管理系统**：由于其极低的导通电阻和高电流能力，BUK652R1-30C-VB 是高效开关电源 (SMPS) 的理想选择，能够显著提高电源转换效率，减少功耗，并提升系统的稳定性。
2. **电机驱动系统**：这款 MOSFET 能够处理极高的电流，非常适合用于电机驱动模块，例如电动汽车的电机控制系统和工业自动化设备，实现高效稳定的电流控制。
3. **电池管理系统**：在电池管理系统中，BUK652R1-30C-VB 的低导通电阻有助于优化电池充放电过程，提高电池的效率和可靠性，尤其适合用于电动汽车和大容量储能系统。
4. **光伏逆变器**：该器件适合用于光伏逆变器的开关部分，因其优秀的电流处理能力和低导通电阻，能够有效提升光伏系统的整体能效和可靠性。
5. **高功率开关应用**：由于其极低的导通电阻和高电流能力，BUK652R1-30C-VB 也适用于高功率开关应用，如大功率电源转换器和高频开关设备，能够减少功耗并提升系统性能。
