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BRF2N60-VB一种Single-N沟道TO220F封装MOS管
2025-01-08
**1. 产品简介：**
BRF2N60-VB 是一款高电压、低导通电阻的 N-Channel MOSFET，封装为 TO220F。它采用了平面技术，具有优异的开关性能和高压承受能力，适用于各种高压应用场景。
**2. 详细参数说明：**
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单极性 N-Channel
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1700mΩ（在 VGS=10V 时）
- **漏极电流 (ID)**: 2A
- **技术**: 平面 (Plannar)
**3. 应用领域举例：**
BRF2N60-VB 适用于高电压开关电源、电机驱动电路、变频器、LED 驱动电路和功率放大器等模块。它在高压控制和开关应用中表现出色，可以有效地处理高电压和大电流，确保电路的稳定性和可靠性。
