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B1606L-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-06
### 产品简介
**B1606L-VB** 是一款高性能单N沟道 MOSFET，封装形式为 TO263。它采用 Trench 技术，专为高电流和高电压应用设计，提供低导通电阻和高耐压能力。该 MOSFET 适合用于高效能电源管理和功率转换模块，确保系统的稳定性和高效能。
### 详细参数说明
- **型号**: B1606L-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (V_DS)**: 60V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **栅源阈值电压 (V_th)**: 3V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 10V 栅源电压下: 4mΩ
- **最大漏电流 (I_D)**: 150A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
**B1606L-VB** 适用于以下领域和模块：
1. **高功率开关电源**:
- 在高效能开关电源中作为开关元件，提供低导通电阻，提升系统效率。
2. **电动汽车 (EV)**:
- 用于电动汽车的电池管理和电机驱动系统，支持高电流操作，确保稳定性和效率。
3. **工业电源管理**:
- 在工业设备的功率管理系统中，负责高电流开关，提升整体能效和可靠性。
4. **数据中心电源**:
- 适用于数据中心电源模块，帮助优化电流控制，减少功耗和提升性能。
这些应用展示了 B1606L-VB 在处理高电流和高电压的电子模块中的优越性能。
