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B266L-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
### 产品简介
**B266L-VB** 是一款单极N沟道MOSFET，封装形式为TO263。采用Trench技术，具有极低的导通电阻和超高电流承载能力。此MOSFET专为高功率和高效率应用设计，能够在高电流和中等电压条件下提供卓越的性能，适合用于要求高开关速度和低功耗的电力电子系统。
### 参数说明
- **型号**：B266L-VB
- **封装**：TO263
- **配置**：单极N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：60V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 12mΩ @ VGS=4.5V
- 3.2mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**：210A
- **技术**：Trench
### 适用领域和模块
**B266L-VB** MOSFET 在以下领域和模块中表现优异：
1. **高效开关电源**：其超低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高效开关电源中，能够显著提高电源的转换效率并减少能量损失。
2. **高功率DC-DC转换器**：在高功率DC-DC转换器中，此MOSFET 能够处理大电流负载，同时保持较低的导通电阻，确保高效稳定的电源转换。
3. **电机驱动系统**：适用于电机驱动应用，能够在高电流负载下稳定工作，提高电机驱动的效率和性能。
4. **LED驱动**：在高功率LED驱动电路中，B266L-VB 提供稳定的电流输出，有助于提升LED的亮度和效率。
5. **汽车电子**：适合用于汽车电子系统中的高功率开关和电源管理模块，能够在高电流条件下提供稳定的性能，增强汽车系统的可靠性。
