AOD7N60-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2024-12-05
### 一、产品简介
**AOD7N60-VB** 是一款由 VBsemi 公司生产的单 N 沟道 MOSFET，采用了 SJ_Multi-EPI 技术。该器件设计用于高压应用，具有较高的漏源电压和稳定的电气特性。封装为 TO252，适合需要可靠性和性能稳定的应用场合。
### 二、详细参数说明
- **型号**: AOD7N60-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单 N 沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 650V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1000mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 5A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 三、应用领域和模块示例
**AOD7N60-VB** 在以下领域和模块中具有广泛的应用：
1. **电源逆变器和开关电源**: AOD7N60-VB 的高漏源电压和可靠性使其非常适合用于电源逆变器和开关电源系统。例如用于工业设备、电动汽车充电器和太阳能逆变器等高压电源转换器中。
2. **电动车充电器**: 在电动车充电器中，AOD7N60-VB 可以用于高压 DC-DC 转换器和充电控制电路。其高漏源电压和较低的导通电阻确保了充电效率和电能转换效率的优化。
3. **工业高压应用**: 在工业控制和电动设备中，需要高压开关和高可靠性的电源管理。AOD7N60-VB 可以用于控制各种电动设备的电源，如高压电动机驱动、工业设备电源开关等。
4. **消费电子和家电**: 虽然其电流承载能力相对较低，但AOD7N60-VB 也可以在消费电子和家用电器中使用，如电源适配器、高压灯具驱动器和家用电器的开关电源。
**总结**: AOD7N60-VB 是一款适用于高压应用的单 N 沟道 MOSFET，具有稳定的电气特性和可靠性，适合于电源逆变、充电器、工业高压设备和消费电子等多种应用场合。
