BUK652R3-40C-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2025-01-15
### 产品简介
**BUK652R3-40C-VB** 是一款采用 Trench 技术的单极 N 通道 MOSFET，封装形式为 TO220。它具备高电流承载能力和低导通电阻，专为高功率开关应用设计。这款 MOSFET 在高频率和高电流应用中表现优异，是高效电源管理和电力转换系统中的理想选择。
### 详细参数说明
- **封装**：TO220
- **配置**：单极 N 通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**：40V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**：±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**：3V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- 15mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏极电流 (ID)**：180A
- **技术**：Trench 技术
### 适用领域与模块举例
**BUK652R3-40C-VB** 的高性能特性使其适用于多个领域和模块，包括：
1. **高效电源管理**：由于其极低的导通电阻和高电流能力，该 MOSFET 非常适合用于高效的电源转换系统，如 DC-DC 转换器和电源管理模块，能够显著提高电源的转换效率和减少功率损耗。
2. **电机驱动**：在电机驱动应用中，如电动工具和电动车辆的驱动系统中，BUK652R3-40C-VB 的高电流承载能力和低导通电阻使其能有效控制电机的启动、停止和调速，提升整体驱动系统的性能和可靠性。
3. **逆变器系统**：在太阳能逆变器或其他高功率逆变器系统中，该 MOSFET 能够在高功率开关操作中提供优良的性能，保证系统的高效运行和稳定性。
4. **高功率开关**：适用于各种高功率开关应用，如工业电源系统和电力控制模块。其高电流和低导通电阻特性可以有效控制和管理大电流流动，提升系统的整体稳定性和效率。
综上所述，BUK652R3-40C-VB 是一款高性能、高可靠性的 MOSFET，能够满足各种高功率开关和电源管理应用的需求。
