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B15S60-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-06
**产品简介**
B15S60-VB是一款高电压、高耐压的单N通道场效应晶体管（MOSFET），封装形式为TO-263，采用SJ_Multi-EPI技术。该器件设计用于在高电压条件下稳定工作，适合用于电源转换和负载驱动应用。具有650V的高漏源电压和15A的最大漏电流，提供了可靠的开关性能和较低的导通电阻。
**详细参数说明**
- **型号**：B15S60-VB
- **封装**：TO-263
- **配置**：单N通道
- **最大漏源电压 (V_DS)**：650V
- **最大栅源电压 (V_GS)**：±30V
- **阈值电压 (V_th)**：3.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**：300mΩ@V_GS=10V
- **最大漏电流 (I_D)**：15A
- **技术**：SJ_Multi-EPI工艺
**应用领域和模块**
1. **高压电源转换**：B15S60-VB适用于高电压DC-DC转换器和AC-DC电源供应系统，能够处理高电压和高功率应用，提高系统的可靠性和稳定性。
2. **电动汽车充电系统**：在电动汽车的充电系统中，该MOSFET能够处理高电压电源，确保充电过程的高效性和安全性。
3. **工业电源管理**：适合用于工业设备的电源管理系统，提供高耐压和高稳定性，特别是在要求高电压耐受的场合。
4. **太阳能逆变器**：在太阳能逆变器中，该MOSFET可用于处理高电压输入，帮助提高转换效率和系统可靠性。
