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BSL306N-VB一种SOT23-6封装Dual-N+N-Channel场效应管
2025-01-09
### 产品简介
**BSL306N-VB** 是一款双极性N沟道功率MOSFET，封装为SOT23-6。这款MOSFET具有20V的漏源电压（VDS），支持最大±12V的栅极源电压（VGS）。其阈值电压（Vth）范围为0.5~1.5V，导通电阻为28mΩ（VGS=2.5V）和22mΩ（VGS=4.5V），最大漏电流为6A。MOSFET采用沟槽技术，适合用于需要高效率和小尺寸的开关应用。
### 详细参数说明
- **型号**: BSL306N-VB
- **封装**: SOT23-6
- **配置**: 双极性N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 20V
- **栅极源电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 28mΩ @ VGS = 2.5V
- 22mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏电流 (ID)**: 6A
- **技术**: 沟槽技术
### 适用领域和模块
**BSL306N-VB** 功率MOSFET 适用于以下领域和模块：
1. **低电压开关电路**：在低电压和中电流的开关应用中作为开关元件，适合小型电子设备和电源管理。
2. **负载开关**：用于高效的负载开关控制，如电池供电设备、家用电器和便携式设备，确保低导通损耗和高效能量转换。
3. **电源调节**：在电源调节模块中用于控制和调节电流，适合DC-DC转换器和电源模块的开关应用。
4. **通信设备**：用于通信设备中的开关控制，处理低电流负载，优化电源效率和系统性能。
