公司动态详情返回动态列表>
IRFB31N20DPBF-VB一款N沟道TO220封装MOSFET应用分析
2024-01-11
IRFB31N20DPBF-VB是VBsemi品牌的一款N沟道功率金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有以下详细参数说明：
- 最大耐压（VDS）：200V
- 最大电流（ID）：35A
- 导通电阻（RDS(ON)）：58mΩ @ 10V, 20V Gs（±V）
- 阈值电压（Vth）：3V
- 封装形式：TO220
应用简介：
IRFB31N20DPBF-VB适用于低电压高电流应用。它可以用于各种需要高功率开关的场景，具有低导通电阻和高耐压能力，可实现高效率的电源开关和电能转换。
该产品适用于以下领域模块：
1. 电源模块：IRFB31N20DPBF-VB适用于各种电源模块，包括电源逆变器、开关稳压电源、UPS电源等。它的低导通电阻和高耐压能力可提供高效、可靠的电源开关功能。
2. 驱动模块：IRFB31N20DPBF-VB可以用于驱动单相或三相电机的驱动模块。其高电流能力和低导通电阻可提供高效的电机驱动功能。
3. 照明模块：IRFB31N20DPBF-VB适用于LED照明模块的开关。其低导通电阻和高耐压能力可实现高效率的照明控制。
总之，IRFB31N20DPBF-VB适用于涉及高电流、低电压和高效率的各种应用领域，包括电源模块、驱动模块和照明模块等。
