AM40P10-200P-VB一种Single-P沟道TO220封装MOS管
2024-11-28
### 产品简介详述：AM40P10-200P-VB
**型号：** AM40P10-200P-VB
**封装：** TO220
**结构：** 单P沟道
**漏极-源极电压（VDS）：** -100V
**栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
**阈值电压（Vth）：** -2V
**导通电阻（RDS(ON)）：** 120mΩ @ VGS=4.5V, 100mΩ @ VGS=10V
**漏极电流（ID）：** -23A
**技术：** Trench（沟槽型）
### 详细参数说明：
1. **电气特性：**
- **静态参数：**
- 漏极-源极电压（VDS）：-100V
- 栅极-源极电压（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：-2V
- 漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）：
- 120mΩ @ VGS=4.5V
- 100mΩ @ VGS=10V
- 最大漏极电流（ID）：-23A
2. **封装和配置：**
- 封装形式：TO220
- 结构类型：单P沟道
3. **技术特性：**
- 采用沟槽型MOSFET技术
### 应用示例：
AM40P10-200P-VB适用于以下领域和模块的示例包括：
- **电源逆变器：** 在电源逆变器中作为开关元件，用于转换电源信号，特别是在需要负责大电压的应用场合。
- **电动车辆：** 可用于电动车辆的电池管理和电动机驱动，因为能够处理高电流和较低的导通电阻。
- **工业控制系统：** 在工业控制系统中用于电流和电压的控制和调节，确保设备的稳定运行。
- **电源管理单元：** 用于电源管理单元中的功率开关和稳压调节器，提供高效的电能转换和管理。
这些示例展示了AM40P10-200P-VB在多种需要高电压、高功率和可靠性的应用中的潜在应用价值。
