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AP18N20GH-HF-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2024-12-10
### 1. 产品简介
AP18N20GH-HF-VB 是一款单 N-沟道功率场效应管（Power MOSFET），采用Trench工艺制造。该器件适用于高性能功率开关和电源管理应用，具有200V的漏极-源极电压（VDS）额定值和最大30A的漏极电流（ID）容量。
### 2. 参数说明
- **型号**: AP18N20GH-HF-VB
- **封装**: TO252
- **通道类型**: 单 N-沟道
- **VDS (漏极-源极电压)**: 200V
- **VGS (栅极-源极电压)**: ±20V
- **Vth (阈值电压)**: 3V
- **RDS(ON) (导通电阻)**:
- 55mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏极电流)**: 30A
- **技术**: Trench
### 3. 应用示例
AP18N20GH-HF-VB 可适用于以下领域和模块：
- **电源管理**: 由于其高导通电流和适中的漏极-源极电压，适合用作高性能电源开关和电源管理系统中的关键部件。
- **太阳能逆变器**: 在太阳能逆变器中，作为功率转换和电流控制的核心组件，确保高效的能源转换和稳定的输出电力。
- **电动车辆充电系统**: 在电动车辆充电系统中，用于电池管理和充电控制，确保高效率和安全的电池充电过程。
- **工业控制**: 用于工业设备和控制系统中的功率开关和逆变器，以提供可靠的功率控制和管理。
AP18N20GH-HF-VB 的高性能特性和可靠性使其在多个应用场景中成为首选，特别是需要处理高电流和高功率的场合。
