BSZ240N12NS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2025-01-10
### BSZ240N12NS3 G-VB MOSFET 产品简介
#### 1. 产品简介
BSZ240N12NS3 G-VB 是英飞凌公司推出的一款高性能单级N沟道MOSFET，专为高电压和高电流应用设计。该MOSFET具有100V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS），采用紧凑的DFN8（3x3 mm）封装。它使用了先进的沟槽技术，具备低导通电阻和高电流处理能力，使其在各种电源开关和功率管理应用中表现优异。
#### 2. 详细参数说明
- **封装类型：** DFN8（3x3 mm）
- **配置：** 单级N沟道
- **漏源电压（VDS）：** 100V
- **栅源电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 1.8V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 在 VGS = 10V 时：17mΩ
- **连续漏电流（ID）：** 35.5A
- **技术：** 沟槽技术
#### 3. 应用领域及模块举例
- **电源转换器：** BSZ240N12NS3 G-VB 非常适合用于高压DC-DC转换器和电源模块。其100V的漏源电压和低导通电阻使其能够高效地处理高电压和大电流应用，从而提高电源转换效率和稳定性，适用于高功率密度的电子设备。
- **电机驱动应用：** 在电动车或工业电机驱动系统中，BSZ240N12NS3 G-VB 可用于驱动电机控制电路。其高电流处理能力和低导通电阻确保电机的高效运行和精确控制，特别是在要求高电压和高电流的应用场景中。
- **电池管理系统（BMS）：** 该MOSFET 是电池管理系统中的理想选择，尤其适用于需要高电压处理能力的电池保护电路。其稳定性和低导通电阻能够有效地管理和保护电池组，提升系统的整体效率和安全性。
- **消费电子设备：** 在需要高电压电源管理的消费电子设备中，例如高性能笔记本电脑和高端电子设备，BSZ240N12NS3 G-VB 可以用于电源开关和管理模块。其紧凑的DFN8封装和高性能使其适合用于高集成度的电子产品中。
- **可再生能源系统：** 在太阳能逆变器和风力发电系统中，BSZ240N12NS3 G-VB 适用于高电压功率开关应用。其高电压和高电流处理能力使其能够在这些系统中提供可靠的性能，提高整体能源转换效率。
