B21NM50N-VB TO263一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
### 产品简介
**型号**: B21NM50N-VB
**封装**: TO263
**配置**: 单极性N沟道MOSFET
**耐压**: 650V
**门源电压**: ±30V
**阈值电压**: 3.5V
**导通电阻**: 160mΩ @ V_GS = 10V
**最大漏电流**: 20A
**技术**: SJ_Multi-EPI
### 详细参数说明
- **型号**: B21NM50N-VB
- **封装类型**: TO263
- **配置**: 单N沟道MOSFET
- **漏极-源极耐压 (V_DS)**: 650V
- **栅极-源极最大电压 (V_GS)**: ±30V
- **阈值电压 (V_th)**: 3.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**: 160mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流 (I_D)**: 20A
- **技术类型**: SJ_Multi-EPI
### 应用领域与模块示例
1. **高压开关电源**
B21NM50N-VB 的高耐压能力和稳定性使其适用于高压开关电源中，用于处理高电压和高功率，提供高效的电源转换和保护。
2. **逆变器**
由于其高耐压和适中的导通电阻，该MOSFET 可用于逆变器中，帮助将直流电转换为交流电，广泛应用于太阳能逆变器和工业逆变器。
3. **功率控制系统**
在各种功率控制系统中，如电机驱动和工业设备，B21NM50N-VB 的高电压承受能力能够提供可靠的开关功能和稳定的功率控制。
4. **焊接设备**
该MOSFET 的高耐压和功率处理能力使其适合用于焊接设备中的开关元件，确保高电压操作时的稳定性和安全性。
