BSP128-VB一种Single-N沟道SOT223封装MOS管
2025-01-09
### 产品简介
**BSP128-VB** 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，封装类型为 SOT223。它采用 Trench 技术，专为高电压应用设计。BSP128-VB 的最大漏源极电压（VDS）为 200V，适合用于高电压环境。最大门源极电压（VGS）为 ±20V，使其在各种驱动条件下工作稳定。其导通电阻（RDS(ON)）在 VGS 为 10V 时为 1200mΩ，适合处理中等电流负载。该 MOSFET 的最大漏极电流（ID）为 1A，能够满足一般的电流需求。
### 详细参数说明
- **型号**: BSP128-VB
- **封装**: SOT223
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 200V
- **门源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1200mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 1A
- **技术**: Trench 技术
### 应用领域和模块举例
1. **高电压开关**:
BSP128-VB 在高电压开关应用中表现出色，适用于需要处理高电压的开关电路。例如，它可以用于高电压电源开关和负载开关，确保高电压环境中的稳定操作。
2. **电源管理**:
在电源管理模块中，BSP128-VB 可用于高电压电源的开关控制，尤其是在需要稳定高电压控制的情况下。其高漏源极电压能力使其适合于电源管理应用中的开关元件。
3. **功率保护**:
在功率保护电路中，BSP128-VB 可用作保护元件，用于防止过电压和过电流情况。其高电压耐受能力和可靠的开关特性使其适合于保护电路免受电压冲击的应用。
4. **电压调节器**:
在电压调节器设计中，BSP128-VB 可以用于高电压调节，提供稳定的电压调节功能。其高电压处理能力和稳定的开关性能使其成为电压调节应用中的合适选择。
这款 MOSFET 的高电压处理能力和可靠的开关性能使其在高电压开关、电源管理和保护电路中表现出色。尽管其导通电阻较高，但在处理高电压的场合仍能提供有效的解决方案。
