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BSC440N10NS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
**产品简介：**
BSC440N10NS3 G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封装为 DFN8(5x6)，设计用于中到高电压应用。该 MOSFET 的 VDS（漏极-源极最大电压）为 100V，最大栅源极电压 VGS 为 ±20V，漏极电流 ID 达到 30A。采用沟槽型工艺技术，具有导通电阻 RDS(ON) 为 17mΩ（在 VGS=10V 时），提供了可靠的高电压开关性能，适用于各种高电压开关电路。
**详细参数说明：**
- **封装**: DFN8(5x6)
- **类型**: 单极性 N-Channel MOSFET
- **漏源极电压（VDS）**: 100V
- **栅源极电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 1.8V
- **导通电阻（RDS(ON)）**: 17mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）**: 30A
- **技术**: 沟槽型工艺
**应用领域和模块示例：**
1. **电源开关**：在高电压电源开关应用中，BSC440N10NS3 G-VB 的高 VDS 和低 RDS(ON) 特性使其适用于高效的电源开关设计，能够处理较高的电压和电流。
2. **电动汽车充电系统**：在电动汽车的充电控制系统中，该 MOSFET 能够应对高电压和大电流负载，确保充电系统的稳定和安全。
3. **工业电源管理**：用于工业电源管理和高电压开关系统中，BSC440N10NS3 G-VB 的高电压耐受能力和低导通电阻使其成为理想选择，适合于要求高效能和高可靠性的应用。
