BUK545-50B-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2025-01-14
### 产品简介
BUK545-50B-VB是一款高性能的N沟道功率MOSFET，封装形式为TO-220，专为高电流和高效率应用设计。其具有60V的漏源电压承受能力和50A的连续漏电流能力，能够在各种苛刻环境下稳定工作。采用沟槽（Trench）技术制造，提供极低的导通电阻和优异的开关特性，使其在多种电力电子设备中表现出色。
### 详细参数说明
1. **型号**: BUK545-50B-VB
2. **封装**: TO-220
3. **配置**: 单N沟道
4. **漏源电压 (VDS)**: 60V
5. **栅源电压 (VGS)**: ±20V
6. **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
7. **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 28mΩ @ VGS = 4.5V
- 24mΩ @ VGS = 10V
8. **连续漏电流 (ID)**: 50A
9. **技术**: 沟槽（Trench）
### 应用领域和模块
1. **电机驱动控制**：由于BUK545-50B-VB MOSFET具有极低的导通电阻和高电流处理能力，它非常适用于电机驱动控制系统，包括工业电机和高功率直流电机驱动，提供高效能的电流控制和管理。
2. **开关电源（SMPS）**：在开关电源应用中，该MOSFET的低导通电阻和高电流能力使其成为理想选择，广泛用于计算机电源、LED驱动电源等，提升能效和系统稳定性。
3. **汽车电子**：该MOSFET的高电流能力和良好的热管理特性，使其适用于汽车电子系统中的功率管理模块，例如电动窗户控制、电动座椅和其他高电流汽车应用。
4. **逆变器和转换器**：在光伏逆变器和其他能量转换器中，BUK545-50B-VB MOSFET能够有效处理大电流和高开关频率，提高系统的整体效率和可靠性。
BUK545-50B-VB MOSFET凭借其卓越的电气性能和高电流能力，在多种要求高功率和高效率的电子应用中表现出色。
