AOI7N60-VB一种Single-N沟道TO251封装MOS管
2024-12-05
### 一、AOI7N60-VB 产品简介
AOI7N60-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，封装于TO251封装中。它具有高漏极-源极电压承受能力和稳定的性能特性，适用于需要高电压和中等电流的功率开关和控制应用。AOI7N60-VB在高压条件下能够提供可靠的电气特性，是工业和电源管理系统中的理想选择。
### 二、AOI7N60-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO251
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 950mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 5A
- **技术类型**: SJ_Multi-EPI
### 三、AOI7N60-VB 适用领域和模块
1. **电源转换器和逆变器**:
- AOI7N60-VB适用于电源转换器和逆变器的设计，特别是在需要高电压和低频率操作条件下的应用。它能够有效地转换电能，并且在高压环境下提供稳定的性能。
2. **工业电源供应**:
- 在工业电源供应系统中，AOI7N60-VB可以用作关键的功率开关装置，用于控制和管理电流分配，保证工业设备的稳定运行和长期可靠性。
3. **电动车充电器**:
- 在电动车充电器中，AOI7N60-VB可以作为开关电源装置，支持电池充电管理和电动车系统的功率调节，确保快速和高效的充电过程。
4. **UPS（不间断电源系统）**:
- 对于UPS系统，AOI7N60-VB可以用于逆变器和电池管理模块，提供高效能的电能转换和备用电源管理，以应对电网中断时的应急情况。
AOI7N60-VB的高压承受能力和稳定的电气特性使其在多种应用场合下都具有广泛的适用性，为工程师和设计者提供了可靠的功率解决方案。
