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  • 联系人: 张先生
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深圳市微碧半导体有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | N沟道MOS管 | P沟道MOS管 | NP沟道MOS管 | 双N沟道MOS管 | 双P沟道MOS管
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SUD50P04-09L-E3-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析

2024-01-06


SUD50P04-09L-E3是一款P沟道功率场效应管,具有以下参数:


- 最大耐压:-40V


- 最大漏极电流:-65A


- 导通时的电阻(RDS(ON)):10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V


- 栅极电压(Vgs)范围:±20V


- 阈值电压(Vth):-1.6V


- 封装:TO252


VBE2412.png


该产品适用于以下领域模块:


- 开关电源:可以应用于电源开关、DC-DC转换器和逆变器等电源模块中,用于实现高效的功率转换。


- 驱动电路:可用于电机驱动、电磁阀驱动和电机控制等模块中,提供稳定的功率放大和驱动能力。


- 电池管理:在电池管理模块中,可以使用SUD50P04-09L-E3来实现电池的充放电控制,提供强大的功率开关能力。


- 功率放大器:在需要放大电流的模块中,SUD50P04-09L-E3可以作为输出级别的功率放大器,提供高电流和低电阻的特性。




综上所述,SUD50P04-09L-E3适用于开关电源、驱动电路、电池管理和功率放大器等领域模块。