公司动态详情返回动态列表>
BSC042N03MS G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BSC042N03MS G-VB** 是一款高性能单 N-Channel MOSFET，封装形式为 DFN8(5x6)。该 MOSFET 采用先进的 Trench 技术，具有极低的导通电阻和高漏电流承载能力，专为要求高效率和高电流的应用设计。它适用于高功率开关和电源管理系统。
### 详细参数说明
- **封装**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单 N-Channel
- **漏源电压 (V_DS)**: 30V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 1.7V
- **导通电阻 (R_DS(on))**:
- 2.5mΩ @ V_GS = 4.5V
- 1.8mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流 (I_D)**: 160A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
1. **高效开关电源**: BSC042N03MS G-VB 可在高效开关电源中作为主要开关使用，提供优异的电流处理能力和低功耗特性，提升整体系统效率。
2. **大功率电流驱动**: 适用于需要大电流处理的应用，如电机驱动和高功率 DC-DC 转换器，能够稳定地承载高达 160A 的电流。
3. **电源管理系统**: 在电源管理模块中使用，提供高效的电流开关和优化电源分配，适合电池管理和功率调节应用。
4. **消费电子和计算机设备**: 用于高功率消费电子产品和计算机主板中，作为高效功率开关，确保稳定性和降低功耗。
