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STD30NF04LT.pdf

型号：STD30NF04LT-VB

丝印：VBE1410

品牌：VBsemi

参数：

- 类型：N沟道

- 额定电压（Vds）：40V

- 最大持续电流（Id）：50A

- 导通电阻（RDS(ON)）：12mΩ @ 10V, 14mΩ @ 4.5V

- 门源电压范围（Vgs）：20V（正负）

- 阈值电压（Vth）：1.78V

- 封装：TO252

应用简介：

STD30NF04LT-VB是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有低导通电阻和高电流承受能力。它适用于多种应用领域，特别是需要高电流开关和电源控制的应用。

详细参数说明：

1. **类型**：这是一款N沟道MOSFET，意味着它在输入正电压时导通。这种类型的MOSFET常用于开关和调节电路中。

2. **额定电压（Vds）**：它可以承受的最大漏极-源极电压为40V。这表示在正常工作条件下，其电压应不超过40V。

3. **最大持续电流（Id）**：这款MOSFET的最大电流承受能力为50A。它可以处理高电流负载。

4. **导通电阻（RDS(ON)）**：RDS(ON)是导通状态下的电阻，它影响MOSFET的功耗和效率。在10V的门源电压下，它的RDS(ON)为12mΩ，而在4.5V下为14mΩ。低导通电阻表示它可以在导通状态下产生较少的功耗。

5. **门源电压范围（Vgs）**：MOSFET的门源电压范围为20V，这表示需要至少20V的电压来控制它的导通状态。

6. **阈值电压（Vth）**：MOSFET的阈值电压为1.78V。这是启动MOSFET导通的门源电压。

7. **封装**：这款MOSFET采用TO252封装，这是一种常见的封装类型，方便在电路板上安装和连接。

应用领域：

STD30NF04LT-VB这种高性能N沟道MOSFET可以用于多种应用，包括但不限于以下领域：

1. **电源供应器**：它可以用于开关电源和线性电源，帮助实现电压转换和电流控制。

2. **电机控制**：在电机驱动器中，它可以用于控制电机的速度和方向。

3. **照明控制**：在LED照明系统中，它可以用于开关和调光控制。

4. **电池管理**：在充电和放电电路中，它可以用于电池保护和电流管理。

5. **工业自动化**：用于控制和监控工业设备和机器。

总之，这款MOSFET适用于需要高电流和低导通电阻的电子电路应用，并广泛用于工业、电子、通信和电源领域的模块和设备中。