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B288L-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
### 产品简介
**B288L-VB** 是一款采用 TO263 封装的单级 N 沟道 MOSFET。该器件利用沟槽工艺制造，具有极低的导通电阻和高电流承载能力，适合高功率和高效率的应用场景。
### 参数说明
- **封装**：TO263
- **配置**：单级 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**：80V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**：3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 6mΩ @ VGS = 10V
- 10mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏电流 (ID)**：120A
- **技术**：沟槽工艺
### 适用领域和模块示例
1. **电源管理**：B288L-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于电源管理系统中的开关组件，能够显著提高电源转换效率和系统稳定性。
2. **DC-DC 转换器**：在 DC-DC 转换器中，这款 MOSFET 能够处理高电流和高电压，有效减少功率损耗，提升转换效率，适合用于高效能电源系统。
3. **电动汽车**：适用于电动汽车的电池管理系统和电机控制模块，能够处理大电流负载，增强系统的性能和可靠性。
4. **工业电力开关**：在工业控制和电力开关应用中，B288L-VB 可用于高电流开关，提供稳定的电流控制，提高系统的整体效率和耐用性。
