BUK653R2-55C-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2025-01-15
## BUK653R2-55C-VB MOSFET 产品简介
**BUK653R2-55C-VB** 是一款高功率、高效率的单极 N 通道 MOSFET，采用 Trench 技术，封装形式为 TO220。此 MOSFET 设计用于处理高电流和高功率应用，提供优异的开关性能和低导通电阻。其高电流承载能力使其特别适合用于要求严格的电源管理和功率转换系统。
## 详细参数说明
- **封装**: TO220
- **配置**: 单极 N 通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 60V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏极电流 (ID)**: 210A
- **技术**: Trench 技术
## 适用领域与模块举例
**BUK653R2-55C-VB** 主要适用于以下领域和模块：
1. **高效电源管理**：由于其极低的导通电阻（3mΩ @ VGS = 10V）和极高的电流承载能力（210A），BUK653R2-55C-VB 非常适合用于高效能电源管理系统，包括高功率 DC-DC 转换器、电源供应器和功率分配模块。这种 MOSFET 可以显著降低电源损耗，提高整体能效。
2. **电动汽车**：在电动汽车应用中，该 MOSFET 能够在电池管理系统（BMS）和电动驱动系统中有效地管理和控制高电流负载。其高电流处理能力和低导通电阻有助于提高电池和驱动系统的效率和安全性。
3. **工业电源**：在工业电源系统中，BUK653R2-55C-VB 的高电流能力和低导通电阻使其成为理想的选择。它可以用于高功率开关电源、逆变器和电机驱动应用，确保稳定和高效的电力供应。
4. **大功率开关应用**：该 MOSFET 也适用于大功率开关应用，如电力变换器和电源模块，能够在高负载条件下提供稳定和高效的开关性能。
总结来说，BUK653R2-55C-VB MOSFET 的 TO220 封装、高电流承载能力和超低导通电阻，使其在高效电源管理、电动汽车、工业电源和大功率开关应用中表现出色。其 Trench 技术确保在各种高功率应用中提供可靠和高效的性能。
