AP80N30W-VB一种Single-N沟道TO3P封装MOS管
2024-12-19
### 一、产品简介
**AP80N30W-VB** 是一款单N-Channel MOSFET，采用TO3P封装。它具有高击穿电压、适中的导通电阻和高电流承载能力，适用于需要处理高电压和高功率的应用场合。
### 二、详细参数说明
1. **封装形式**：TO3P
2. **配置**：Single-N-Channel
3. **击穿电压（VDS）**：600V
4. **栅极电压（VGS）**：30V（±V）
5. **阈值电压（Vth）**：3.5V
6. **导通电阻（RDS(ON)）**：
- @VGS = 10V：60mΩ
7. **漏极电流（ID）**：47A
8. **技术**：SJ_Multi-EPI
### 三、应用领域和模块示例
**AP80N30W-VB** 在以下领域和模块中具有广泛的应用：
1. **工业电源（Industrial Power Supplies）**：
- 用于高压工业电源系统中的开关电源和DC-DC转换器，支持工业设备的高效能运行和稳定电压输出。
2. **电动车充电桩（Electric Vehicle Charging Stations）**：
- 在电动车充电桩的电力传输和电池管理系统中，作为功率开关和电流控制的关键元件。
3. **太阳能逆变器（Solar Inverters）**：
- 在太阳能发电系统中，用于逆变器的输出阶段，支持将太阳能电能转换为可用的交流电能。
4. **高压电源模块（High Voltage Power Modules）**：
- 作为高压开关电源模块的核心组件，用于通信基站、数据中心和工业设施中的电源管理和功率分配。
5. **电力输配设备（Power Distribution Equipment）**：
- 在电力输配系统中，用于开关电源和保护装置，确保电力输送的稳定性和安全性。
**AP80N30W-VB** 的高击穿电压和低导通电阻使其成为处理高压高功率应用的理想选择，能够提供可靠的性能和持久的耐用性。
