AP9990GP-HF-VB一种TO220F封装Single-N-Channel场效应管
2024-12-25
### 1. 产品简介详述：
AP9990GP-HF-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，采用槽沟技术制造。具有高电流承载能力和低导通电阻特性，适合于需要高功率和高效能的电路设计。该器件采用 TO220F 封装，能够在各种环境条件下提供稳定的性能。
### 2. 详细参数说明：
- **器件型号：** AP9990GP-HF-VB
- **包装类型：** TO220F
- **通道类型：** 单 N 沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 60V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 3V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 13mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）：** 120A
- **技术特性：** 槽沟技术（Trench）
### 3. 应用示例：
这款 MOSFET 适用于以下领域和模块：
- **电源供应和开关电源：** AP9990GP-HF-VB 可以作为高功率开关电源的主要开关管，用于电源逆变器、电源管理单元（PMU）和高效能转换器中，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。
- **电动车辆和电动工具：** 在电动车辆和工业电动工具的电源管理和驱动系统中，该器件能够承受高电流负载，提供稳定的电流输出和高效的能量利用。
- **工业自动化：** 适用于工业控制系统中的电路控制和电源管理，如PLC（可编程逻辑控制器）、机器人控制系统等，确保系统运行的稳定性和可靠性。
- **电源逆变器和太阳能应用：** 用于各种电力逆变器和太阳能电池逆变器中，支持从直流到交流的高效转换，确保电能的稳定输出和高效利用。
以上示例展示了 AP9990GP-HF-VB 在多个高功率和高效率要求的电路设计中的广泛应用，利用其低导通电阻和高电流承载能力，确保电路的性能和可靠性。
