AP15P15GI-VB一种Single-P沟道TO220F封装MOS管
2024-12-10
### 一、产品简介
AP15P15GI-VB是一款高性能的单P沟道MOSFET，采用TO220F封装。它具备负高压漏源电压和优异的导通特性，适用于需要高效电力传输和控制的应用场景。这款MOSFET的设计旨在提供出色的开关性能和低导通损耗，使其在负高压应用中表现出色。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**: TO220F
- **配置**: 单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 230mΩ @ VGS = 4.5V
- 200mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: -12A
- **技术类型**: Trench
### 三、适用领域和模块举例
1. **电源逆变器**：AP15P15GI-VB适用于负高压的电源逆变器系统，如工业用逆变器和太阳能逆变器。其负高压漏源电压和稳定的开关性能能够有效控制电流流向和电力转换效率，提高系统的可靠性和效率。
2. **电动汽车充电系统**：在电动汽车充电桩的电源管理系统中，这款MOSFET可以用于充电桩的功率开关控制和电流保护。其负高压特性使其能够处理高压下的电力传输，确保电动汽车充电过程的安全和高效。
3. **电源逆变器**：在工业自动化和电力电子设备中，AP15P15GI-VB可用于电源逆变器的关键部件，如变频器和UPS系统。其高功率承载能力和低导通电阻有助于提高系统的性能和稳定性，适合各种工业应用。
4. **LED照明控制**：这款MOSFET还可以应用于LED照明系统的电流调节和控制模块。其快速响应和低损耗特性有助于提高LED照明系统的效率和寿命，适用于高功率LED照明和舞台灯光控制。
通过其优秀的性能参数和广泛的应用领域，AP15P15GI-VB显示出在需要负高压性能和可靠性的电子设备和系统中的重要性，是电力电子领域的理想选择。
