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AOTF266L-VB一种Single-N沟道TO220F封装MOS管
2024-12-07
### 1. 产品简介
AOTF266L-VB 是一款单N沟道场效应管，采用Trench技术制造，封装形式为TO220F。具备低导通电阻、高电流和稳定的性能特性，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理和驱动应用。
### 2. 详细参数说明
- **包装**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 2.6mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 210A
### 3. 应用示例
AOTF266L-VB MOSFET 适用于以下领域和模块：
- **电动车辆**: 在电动车辆的电源管理系统中，AOTF266L-VB 可以作为电动车辆的电池管理和电机驱动的关键组件，支持高功率输出和快速响应。
- **工业电源**: 用于工业电源设备的高效能电源开关和电流控制，如工业自动化设备中的高压开关电源单元。
- **服务器和数据中心**: 在服务器和数据中心设备中，AOTF266L-VB 可以提供稳定的电源开关和电流控制，优化能源利用率和系统性能。
- **电源转换器**: 适用于各种类型的电源转换器，支持高效能的电能转换和电流管理。
这些示例突显了 AOTF266L-VB 的高功率处理能力、低导通电阻和稳定的性能特性，使其成为各种电子和电力系统中的理想选择，特别是需要处理高功率和高效能要求的应用场合。
