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深圳市微碧半导体有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | N沟道MOS管 | P沟道MOS管 | NP沟道MOS管 | 双N沟道MOS管 | 双P沟道MOS管
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IRF7455TRPBF-VB一款N沟道SOP8封装MOSFET应用分析

2024-02-22

IRF7455TRPBF.pdf

型号:IRF7455TRPBF-VB

丝印:VBA1311

品牌:VBsemi

参数:

- 沟道类型:N沟道

- 额定电压:30V

- 最大持续电流:12A

- 静态导通电阻 (RDS(ON)):12mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)

- 阈值电压 (Vth):0.8V 到 2.5V

- 封装:SOP8


详细参数说明:

IRF7455TRPBF-VB 是一款 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件,具有 30V 的额定电压和最大持续电流为 12A。它的 RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好,分别为 12mΩ @ 10V 和 15mΩ @ 4.5V。阈值电压 (Vth) 的范围为 0.8V 到 2.5V。

VBA1311.png

应用简介:

IRF7455TRPBF-VB 通常用于电源管理、电源开关和电源转换器应用中,特别适用于需要 N 沟道 MOSFET 的电路。SOP8 封装使其易于集成到各种电子设备和电路中。这种型号的 MOSFET 具有低导通电阻和高电流承受能力,可提供卓越的性能和高效率。它适用于多种领域的模块,如电源开关、电源转换器、电池保护电路、电源管理、电源放大器、电动工具和其他低至中功率应用。阈值电压的范围使其适用于多种电路设计,可以在不同的电压条件下提供可靠的性能。