AP9926GO-VB一种Common Drain-N+N沟道TSSOP8封装MOS管
2024-12-23
### AP9926GO-VB MOSFET 产品简介
AP9926GO-VB 是一款具有共源极的双N+N沟道功率MOSFET，采用TSSOP8封装。该器件利用先进的Trench技术制造，具备优异的导通特性和低导通电阻，适合高效能量转换和功率管理的应用场合。
### AP9926GO-VB 详细参数说明
- **封装类型**：TSSOP8
- **配置**：共源极双N+N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**：20V
- **栅源极电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 32mΩ @ VGS=2.5V
- 22mΩ @ VGS=4.5V
- **漏极电流 (ID)**：6.6A
- **技术**：Trench
### 应用领域和模块
AP9926GO-VB 可以广泛应用于以下领域和模块：
1. **电源管理和供电系统**：在电源模块、DC-DC转换器和稳压电源中，AP9926GO-VB 可以用作高效能量转换和电源管理的功率开关元件，确保稳定的电压输出和高效能量转换。
2. **电动工具和电动车辆**：在电动工具、电动车辆和电动自行车的电机驱动系统中，该MOSFET 可以提供高效的电机控制和动力输出，延长电池使用时间并提升性能。
3. **消费电子**：在笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式设备中，AP9926GO-VB 可以用于电池管理和功率控制，提供稳定的电源管理和长续航能力。
4. **工业控制和自动化**：在工业自动化控制系统、机器人技术和自动化设备中，该型号的MOSFET 可以用于执行器控制和电机驱动，实现精确的运动控制和高效的能量转换。
综上所述，AP9926GO-VB 适用于多种需要高效能量转换和功率控制的应用场合，为各类电子设备提供可靠的功率管理解决方案。
