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STN3PF06-VB一款P沟道SOT223封装MOSFET应用分析
2024-01-10
型号： STN3PF06-VB
丝印： VBJ2658
品牌： VBsemi
参数：
- P沟道
- -60V
- -6.5A
- RDS(ON)：58mΩ@10V, 70mΩ@4.5V
- 20Vgs(±V)
- -1~-3Vth(V)
- 封装： SOT223
详细参数说明：
- P沟道：表示这是一款P沟道MOSFET，常用于负载驱动和开关电路等应用。
- -60V：表示最大耐压为-60V，即在工作时，电压不可超过-60V。
- -6.5A：表示最大漏极电流为-6.5A，即在工作时，漏极电流不可超过-6.5A。
- RDS(ON)：表示导通状态下的内阻。在10V的电压下为58mΩ，在4.5V的电压下为70mΩ。
- 20Vgs(±V)：表示最大的栅极源极电压，即在工作时，栅极源极电压不可超过20V。
- -1~-3Vth(V)：表示阈值电压范围，在-1V到-3V之间。
应用简介：
这款STN3PF06-VB是一款P沟道MOSFET，适用于负载驱动和开关电路等应用。由于其能够承受较高的耐压和漏极电流，因此适合用于需要高功率和高频率的应用。
这些产品适用的领域模块：
这些产品可以广泛用于各种领域的模块设计中，其中包括但不限于以下领域：
1. 电源模块：用于电源开关和功率控制电路。
2. 电动工具：用于电动工具的控制电路，例如电动钻、电锤等。
3. 照明：用于LED驱动电路和照明控制。
4. 汽车电子：用于汽车电子模块，如发动机控制单元、照明控制等。
5. 工业自动化：用于各种工业自动化设备的控制电路。
6. 通信设备：用于通信设备的功率放大和开关电路。
总之，STN3PF06-VB这款P沟道MOSFET适用于多种应用领域的模块设计，特别适合需要承受较高耐压和漏极电流的高功率和高频率应用。
