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深圳市微碧半导体有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | N沟道MOS管 | P沟道MOS管 | NP沟道MOS管 | 双N沟道MOS管 | 双P沟道MOS管
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BSO305N-VB一种SOP8封装Dual-N+N-Channel场效应管

2025-01-09

### 产品简介


**BSO305N-VB** 是一款双通道 N 沟道 MOSFET,封装类型为 SOP8。该 MOSFET 采用先进的 Trench 技术,专为中等电流和高效率应用设计。其漏源极电压(VDS)为 30V,门源极电压(VGS)最大为 ±20V,适用于多种驱动条件。BSO305N-VB 提供了两个 N 沟道 MOSFET 的配置,使其在设计中更加灵活。导通电阻(RDS(ON))在 VGS 为 4.5V 时为 26mΩ,在 VGS 为 10V 时为 22mΩ,具有较低的功耗。每个通道的漏极电流(ID)分别为 6.8A 和 6.0A,能够满足中等电流负载的需求。


### 详细参数说明


- **型号**: BSO305N-VB

- **封装**: SOP8

- **配置**: 双 N 沟道

- **漏源极电压 (VDS)**: 30V

- **门源极电压 (VGS)**: ±20V

- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V

- **导通电阻 (RDS(ON))**:

  - 26mΩ @ VGS = 4.5V

  - 22mΩ @ VGS = 10V

- **漏极电流 (ID)**:

  - 6.8A (第一个通道)

  - 6.0A (第二个通道)

- **技术**: Trench 技术

SOP8.png

BSO305N-VB.pdf


### 应用领域和模块举例


1. **电源管理**:

   BSO305N-VB 在电源管理模块中表现出色,尤其适用于需要双通道开关的应用,例如双路 DC-DC 转换器和电源分配系统。其低导通电阻能够有效降低功率损耗,提高电源效率和稳定性。


2. **负载开关**:

   在负载开关应用中,BSO305N-VB 的双通道设计使其能够同时控制两个负载,提供灵活的开关控制。特别适合用于电池供电设备中的负载开关,如电池保护电路和电源切换模块。


3. **电机驱动**:

   对于电机驱动应用,BSO305N-VB 可以用于控制电机的双向开关操作。其高电流承载能力和低导通电阻使其适合用于直流电机和步进电机的驱动系统。


4. **汽车电子**:

   在汽车电子系统中,BSO305N-VB 可用于各种开关应用,如电源管理系统和负载开关控制。其双通道设计可以简化电路布局,提供高效的电流控制解决方案。


这款双通道 MOSFET 的设计使其在需要双通道开关和中等电流控制的应用中表现出色,特别是在电源管理和负载开关领域。