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BRF4N60-VB一种Single-N沟道TO220F封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
BRF4N60-VB 是一款高压 N-Channel MOSFET，封装为 TO220F。它适用于高电压和高电流应用。具有 650V 的漏源电压 (VDS) 和 4A 的连续漏电流 (ID)，适合用于开关电源和高压电路。
### 详细参数说明
- **型号**: BRF4N60-VB
- **封装**: TO220F
- **类型**: 单 N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **门槛电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 2560 mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏电流 (ID)**: 4A
- **技术**: 平面型
### 适用领域和模块
BRF4N60-VB 适用于：
1. **开关电源**：由于其高 VDS 和低 RDS(ON)，适合用于电源开关。
2. **电机驱动**：能处理较高电压和电流，适合电机控制电路。
3. **高压开关**：用于高压开关电路，如逆变器和电源适配器。
