AULL024N-VB一种SOT223封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-06
### 一、产品简介
**AULL024N-VB** 是一款单N沟道功率MOSFET，封装形式为SOT223。该MOSFET设计用于中等电流和高效率的开关应用，具有60V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS）。其阈值电压（Vth）为1.7V，保证在较低的栅源电压下也能有效导通。AULL024N-VB的导通电阻为33mΩ（在VGS为4.5V时）和28mΩ（在VGS为10V时），提供了良好的电流传输性能。最大连续漏极电流（ID）为7A，采用Trench技术，优化了导通性能和热管理，适合各种中等电流的应用场景。
### 二、详细参数说明
1. **型号：** AULL024N-VB
2. **封装：** SOT223
3. **配置：** 单N沟道
4. **漏源电压（VDS）：** 60V
5. **栅源电压（VGS）：** ±20V
6. **阈值电压（Vth）：** 1.7V
7. **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 33mΩ @ VGS=4.5V
- 28mΩ @ VGS=10V
8. **连续漏极电流（ID）：** 7A
9. **技术：** Trench
### 三、适用领域和模块举例
**AULL024N-VB** MOSFET在多个领域和模块中发挥作用，尤其适用于中等电流和空间受限的应用。在消费电子领域，这款MOSFET适合用于小型电源模块、便携式设备和家用电器中的电流开关和管理。在汽车电子中，它可用于电动窗、电动座椅和车载电源管理系统，提供稳定的电流控制和高效的电力转换。在工业设备中，如低功率电机驱动器和开关电源模块，AULL024N-VB能够处理中等电流负载，并提供可靠的性能。此外，在通信设备中，这款MOSFET适用于中等功率的开关应用，如功率调节和信号开关。由于其SOT223封装，这款MOSFET特别适合于空间受限且对散热有一定要求的应用场合。
