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B20NM50FD-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
### 产品简介
**B20NM50FD-VB** 是一款高压单极性N通道场效应晶体管，采用TO263封装。该MOSFET基于SJ_Multi-EPI技术，设计用于处理高达650V的漏源电压，具有优良的开关性能和高电流承载能力。它适合应用于需要高电压、高功率处理的场合，并提供了稳定的开关特性和可靠的性能。
### 详细参数说明
- **型号**: B20NM50FD-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单极N通道
- **漏源电压 (V_DS)**: 650V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±30V
- **阈值电压 (V_th)**: 3.5V
- **导通电阻 (R_DS(on))**: 160mΩ (V_GS = 10V)
- **最大漏电流 (I_D)**: 20A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 适用领域和模块
1. **电源管理**：B20NM50FD-VB适用于高压电源管理系统，包括高电压DC-DC转换器和电源适配器。其高电压耐受能力和低导通电阻使其能够高效地处理高功率电流，提升电源系统的效率和可靠性。
2. **逆变器**：在太阳能逆变器和其他高电压逆变器系统中，这款MOSFET能够提供稳定的开关性能，处理650V的高电压负载，有助于实现高效的能量转换和管理。
3. **工业设备**：用于工业自动化设备中的高压开关和电机驱动系统，B20NM50FD-VB能够处理高电流和高电压负载，确保设备在高压环境下稳定运行。
4. **高压开关**：适用于高压开关应用，例如电源保护和高功率开关设备。它的高电流承载能力和稳定开关性能使其在高压环境下表现出色。
