公司动态详情返回动态列表>
FDN338P-NL-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析
2024-02-22
型号：FDN338P-NL-VB
丝印：VB2290
品牌：VBsemi
参数：
- P沟道
- 最大耐压：-20V
- 最大电流：-4A
- 静态导通电阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V, 12Vgs (±V)
- 阈值电压：-0.81V
- 封装：SOT23
**详细参数说明：**
FDN338P-NL-VB是一款P沟道MOSFET，最大耐压为-20V，最大电流为-4A。其静态导通电阻在不同电压下表现如下：在4.5V下为57mΩ，在2.5V下为83mΩ，驱动电压范围为±12V。阈值电压为-0.81V。该器件采用SOT23封装，适合在有限空间内使用。
**应用简介：**
FDN338P-NL-VB适用于多种领域的模块，包括但不限于：
1. **电源管理模块**：由于其低导通电阻和适中的耐压特性，它可用于电源开关、电流控制和电源管理模块，帮助提高电能转换效率。
2. **电池充放电保护**：在电池管理系统中，它可以用于电池充放电保护和电流控制，确保电池的安全性和性能。
3. **开关电源**：适用于小型开关电源，如便携式设备充电器、小型电子设备供电等。
4. **电机驱动**：可用于小型电机控制和驱动模块，如小型风扇、电动工具等。
总之，FDN338P-NL-VB适用于需要低电压驱动和适中电流能力的P沟道MOSFET的多种领域，包括电源管理、电池管理、开关电源和电机驱动等领域。其性能参数使其成为许多电子模块的理想选择。
