AUIRFU3607-VB一种Single-N沟道TO251封装MOS管
2025-01-04
### 产品简介
**AUIRFU3607-VB** 是一款高性能单N通道MOSFET，封装为TO251。它具有80V的最大漏极源极电压（VDS），以及±20V的最大门源极电压（VGS）。门槛电压（Vth）为3V，确保MOSFET在相对较低的门电压下即可导通。该MOSFET在VGS=4.5V时的导通电阻（RDS(ON)）为8.7mΩ，在VGS=10V时降至6.4mΩ。其最大连续漏极电流（ID）为75A，采用Trench技术制造，特别适用于高效能、高电流的应用场景。
### 参数说明
- **型号**: AUIRFU3607-VB
- **封装**: TO251
- **配置**: 单N通道
- **最大漏极源极电压（VDS）**: 80V
- **最大门源极电压（VGS）**: ±20V
- **门槛电压（Vth）**: 3V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- 8.7mΩ @ VGS=4.5V
- 6.4mΩ @ VGS=10V
- **最大连续漏极电流（ID）**: 75A
- **技术**: Trench
### 适用领域和模块示例
1. **高功率电源开关**: AUIRFU3607-VB的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高功率电源开关模块，有效减少功耗并提升整体效率。
2. **电动汽车驱动系统**: 在电动汽车的电机控制系统中，该MOSFET能够稳定处理高电流需求，提高系统的可靠性和性能。
3. **DC-DC转换器**: 在DC-DC转换器中，AUIRFU3607-VB的低导通电阻有助于提高转换效率，适合用于高效能电源设计和电流密集型应用。
4. **逆变器**: 适用于光伏逆变器和其他高功率逆变器应用，能够处理高电压和高电流要求，确保逆变器的稳定性和高效性。
5. **电池管理系统**: 在电池管理系统中，该MOSFET可以高效控制充电和放电过程中的电流，优化电池性能并延长其使用寿命。
