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NTZD3155CT2G-VB一款N+P沟道SC75-6封装MOSFET应用分析
2024-02-22
型号：NTZD3155CT2G-VB
丝印：VBTA5220N
品牌：VBsemi
参数说明：
- 沟道类型：N+P沟道
- 额定电压：±20V
- 最大电流：0.6A（正向）/-0.3A（反向）
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：270mΩ/660mΩ@4.5V, 410mΩ/840mΩ@2.5V
- 门源极电压（±Vgs）：±12V
- 门源极阈值电压（±Vth）范围：±0.7V至±2V
- 封装类型：SC75-6
应用简介：
NTZD3155CT2G-VB是一款N+P沟道双极性场效应晶体管（MOSFET），具有正向和反向电流承受能力，低漏极-源极电阻，以及可适应不同门源极电压的特性。这些特性使其在多种电子领域的模块中有广泛的应用。
应用领域：
1. 电源模块：NTZD3155CT2G-VB可用于电源开关模块，以提供电源开关功能和电压调节，适用于各种电子设备和电源系统。
2. 电流控制：在电流控制模块中，它可以用于电流开关和控制，适用于电机控制、电源管理和电流保护。
3. 放大和信号切换：在放大和信号切换模块中，NTZD3155CT2G-VB可用于信号放大和开关功能，适用于音频放大器、通信接口和传感器接口等应用。
4. 逆变器：它还可以用于逆变器电路，将直流电源转换为交流电源，适用于太阳能逆变器、电动汽车逆变器和UPS系统。
总之，NTZD3155CT2G-VB是一种多功能的双极性MOSFET，适用于多个领域的电子模块，提供电源管理、电流控制、信号放大和逆变功能。
